【作者】 李微； 赵彦民； 闫礼； 乔在祥； 刘兴江；

【Author】 Li Wei,Zhao Yan-min,Yan Li,Qiao Zai-xiang,Liu Xing-jiang (1 National Key Laboratory Of Power Sources,Tianjin Institute of Power Sources,Tianjin 300381,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第十八研究所 化学与物理电源技术重点实验室；

【摘要】 以轻质柔性聚酰亚胺（PI）材料为衬底,采用低温共蒸发"一步法"工艺制备四元化合物Cu（In,Ga）Se₂（CIGS）薄膜。本文采用卷对卷（roll-to-roll）技术,在衬底幅宽300mm的方向上实现了良好的成膜均匀性。更多还原

【Abstract】 The Cu（In,Ga）Se₂（CIGS）films are deposited by evaporation using "one-stage process" at low temperature on the polyimide（PI）.The film thickness uniformity is accepted for a commercial process with 300mm-wide substrate with roll-to-roll mass production.更多还原