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偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响
【作者】 何玉娟； 师谦； 罗宏伟； 章晓文； 李斌； 刘远；
【机构】 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室； 华南理工大学微电子研究所；
【摘要】 辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10KeV X射线对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件闽值电压的影响以及辐射导致习电现象.实验结果表明,对于NMOSFET而言,ON偏置条件是最劣偏置条件,OFF偏置条件是最优偏置条件.
【基金】 国家重点基金项目(6140438);国家重点实验室基金项目(51433020101DZ1501)
- 【会议录名称】 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文选
- 【会议名称】中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会
- 【会议时间】2006-10-01
- 【会议地点】中国福建武夷山
- 【分类号】TN386.1
- 【主办单位】中国电子学会可靠性分会