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扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究——电子束对材料改性研究之二
【机构】 中国科学院电子学研究所； 北京大学计算机科学技术系；
【摘要】 在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI（Silicon on Insulator）技术,是一项近年发展起来研制三维集成电路的新技术.本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验,采用籽晶液相横向外延形成单晶硅薄膜.本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底温度和样品结构组成等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响.实验取得了较好的结果,获得了200×25μ2的单晶区.
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【会议录名称】 中国电工技术学会电子束离子束专业委员会第五届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第三届电子束焊接学术年会论文集
- 【会议名称】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会第五届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第三届电子束焊接学术年会
- 【会议时间】1993-12-01
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】TN304.055
- 【主办单位】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、中国电子学会焊接专业委员会