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用红外光谱吸收法测定未掺杂半绝缘GaAs中碳浓度和电离EL2浓度及其相互关系
【机构】 电子工业部第46研究所； 河北工学院；
【摘要】 <正>CaAs集成电路要求高质量的半绝缘GaAS作衬底材料。一般认为,未掺杂LEC-GaAs的半绝缘特性是由于深施主EL2与浅受主杂质碳的补偿,EL2和碳是最重要的电活性中心。关于未掺杂半绝缘GaAs中的碳浓度和EL2浓度测量研究有很多文献报导,但对电离的EL2浓度与碳浓度的关系研究甚少。本文对一批不同生长工艺条件的未掺杂半绝缘LEC-GaAs样品,分别利用局域振动模红外吸收法,使用Nicolet 170SX高分辨率FTIR光谱仪,测量了样品的碳浓度及其径向分布和利用多波长红外吸收法,使用PE-Lambda9近红外光谱仪和我们研制的微机控制微区分布自动测量系统,原位测得
- 【会议录名称】 第五届华北、东北地区理化会议论文集
- 【会议名称】第五届华北、东北地区理化会议
- 【会议时间】1993-09-01
- 【会议地点】中国天津
- 【分类号】TN406
- 【主办单位】电子学会华北、东北地区理化分会