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用于真空电弧离子镀膜的受控电弧蒸发源

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【作者】 吴振华黄经筒游本章

【机构】 中国科学院电工研究所

【摘要】 <正>一、前言真空电弧离子镀膜是八十年代发展起来的新技术,因为它的蒸发离化源是靠真空电弧弧斑的局部高温蒸发和离化,离化率和离子能量都比以往的离子镀膜方法高,因而在工件加热温度较低的情况下就能得到附着力强而致密的薄膜,目前在工业上已得到一定程度的推广应用。然而迄今为止,国内外的商品真空电弧离子镀膜设备,其蒸发源均采用自由电弧(Random Arc)蒸发,较易产生金属液,限制了它在某些领域的应用;而为抑制液滴,此蒸发源通常在100A以下运行,限制了沉积速率和电离度的进一步提高。

【基金】 国家自然科学基金资助项目
  • 【会议录名称】 中国电工技术学会电子束离子束专业委员会第四届电子束离子束学术年会暨中国电子学会焊接专业委员会第二届电子束焊接学术年会论文集
  • 【会议名称】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会第四届电子束离子束学术年会暨中国电子学会焊接专业委员会第二届电子束焊接学术年会
  • 【会议时间】1991-06-01
  • 【会议地点】中国广西桂林
  • 【分类号】TB43
  • 【主办单位】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、中国电子学会焊接专业委员会
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