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发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究
【摘要】 <正>一、引言采用GaP制作的发光二极管,具有体积小、寿命长、易与集成电路相匹配等特点,已广泛用于各种仪器仪表、文字符号图象的显示,在光电子学和信息处理技术中越来越发挥重要作用。但发光管的发光效应除受材料固有性质影响外,还受晶格缺陷的影响,因此,我们在低于50℃下用高能电子辐射GaP:N发光二极管,
- 【会议录名称】 第四届理化分析经验交流会论文集（下册）
- 【会议名称】第四届理化分析经验交流会
- 【会议时间】1990-07-01
- 【会议地点】中国辽宁兴城
- 【分类号】TN312.8
- 【主办单位】中国电子学会生产技术学会理化专业委员会