节点文献
SI-GaAs单晶高温退火过程中的表面热损伤
【机构】 北京有色金属研究总院；
【摘要】 <正>半绝缘砷化镓是高速集成电路、微波功率器件的重要衬底材料。随着电路和器件技术发展,对半导体衬底材料也提出新的挑战。其晶体均匀性和完整性近几年一直是研究的课题。
- 【会议录名称】 面向21世纪的科技进步与社会经济发展（下册）
- 【会议名称】中国科协首届学术年会
- 【会议时间】1999-10-18
- 【会议地点】中国浙江杭州
- 【分类号】TG156.2
- 【主办单位】中国科学技术协会、浙江省人民政府