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低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇
【机构】 北京大学微电子学研究所；
【摘要】 本文较为详细地分析了在低电源电压条件下,薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件的热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题对电路性能的影响。SOI器件在低压低功耗领域的许多优势是体硅器件难以达到的,它有效地克服了体硅CMOS电路中的热载流子、软失效、速度低等问题。薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术,同时低压低功耗集成电路的飞速发展也为SOI技术提供了一个新的机遇。
- 【会议录名称】 信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集
- 【会议名称】“科技增强国力，青年开创未来——携手走向辉煌的新世纪”中国科协第三届青年学术年会
- 【会议时间】1998-08-20
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN432
- 【主办单位】中国科学技术协会(China Association for Science and Technology)