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新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术

New Fast High Power Semiconductor Devices and Application Technology

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【作者】 刘忠山杨勇崔占东刘英坤

【Author】 Liu Zhongshan,Yang Yong,Cui Zhandong,Liu Yingkun (The 13~(th) Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所

【摘要】 简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉冲源技术水平。

【Abstract】 The limitation of general pulse switch for modern pulse power technology is introduced.The operation theory and application technology of several new plasma-wave semiconductor switch devices(RSD, DBD,FID,DSRD,SOS) were illustrated.The present capabilities of these devices were introduced,and so were the pulse source technology capabilities which were based on these devices of inside and outside.

【关键词】 半导体器件开关脉冲等离子体波
【Key words】 semiconductordeviceswitchpulseplasma-wave
  • 【会议录名称】 2010’全国半导体器件技术研讨会论文集
  • 【会议名称】2010’全国半导体器件技术研讨会
  • 【会议时间】2010-07-16
  • 【会议地点】中国浙江杭州
  • 【分类号】TN313.6
  • 【主办单位】中国半导体行业协会
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