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Si与SiC微波功率器件的比较

Analysis of Silicon Carbide and Silicon Microwave Power Devices

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【作者】 潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰李亚丽周瑞

【Author】 Pan Hongshu,Yang Fei,Huo Yuzhu,Shang Qingjie,Li Yali,Zhou Rui (The 13~(th) Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所

【摘要】 对已经研制出的S波段连续波状态下输出功率为10 W的Si与SiC功率器件进行了对比分析,SiC微波功率器件无论是在微波功率增益、功率附加效率还是在器件的体积和重量等方面都表现出了明显优势,SiC器件的功率增益达9 dB以上,比Si器件高3 dB,功率附加效率提高5%以上,体积减小近8倍,重量只为Si功率器件的1/5左右。除此之外,由于SiC材料的优势,SiC微波MOS器件和电力电子器件也展现了诱人的应用前景。

【Abstract】 The performance of the silicon carbide(SiC) and Si microwave power devices fabricated with 10W output power at S-band under continuous mode were compared in this paper.SiC microwave devices show clear superiorities both in microwave power gain,power added efficiency(PAE) and saving volume and weight.The power gain of SiC devices is over 9 dB,which is 3 dB higher than Si devices,and the PAE are 5%higher than Si devices while the volume is only one eighth and weight is only one fifth of the Si devices. Beside the microwave power devices,SiC power devices and microwave MOSFET shows hopeful application tendency owing to the good material performance.

【关键词】 碳化硅功率器件微波
【Key words】 SiCpower devicemicrowaveSi
  • 【会议录名称】 2010’全国半导体器件技术研讨会论文集
  • 【会议名称】2010’全国半导体器件技术研讨会
  • 【会议时间】2010-07-16
  • 【会议地点】中国浙江杭州
  • 【分类号】TN12
  • 【主办单位】中国半导体行业协会
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