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S波段微波脉冲功率放大模块研制

Research and Manufacture of S-Band Microwave Pulsed Power Amplifier Module

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【作者】 张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨

【Author】 Zhang Hongliang,Liu Yingkun,Deng Jianguo,Pan Ru,He Yuxin,Kou Yanyu (The 13~(th) Research Insistitute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所

【摘要】 介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×20.7 mm×7.5mm,端口阻抗为50Ω。模块在3.1~3.4 GHz全频段、36 V工作、脉冲宽度300μs、占空比10%条件下输出功率大于120 W,增益大于8 dB,效率40%,通过3:1抗负载失配,表现出了良好的微波性能和可靠性。

【Abstract】 The desig and testing results of S-band microwave pulsed power amplifier module wre introduced.S-band Si BJTs are key devices of the module.The design of matching circuit referenced the impedance of transistor that measured by load pull technique and integrated the Wilkinson divider and combiner.The dimension of the module is 53.3 mm×20.7 mm×7.5 mm.Input and output impedances of the module are 50Ω.It can deliver peak pulse output power of more than 120 W with 8 dB power gain and 40%efficiency under the conditions of 36 V operation voltage,300μs pulse width,10%duty cycle in the frequency band of 3.1-3.4 GHz.The module can withstand the VSWR of 3:1 mismatch.The good microwave performance and reliability were represented.

  • 【会议录名称】 2010’全国半导体器件技术研讨会论文集
  • 【会议名称】2010’全国半导体器件技术研讨会
  • 【会议时间】2010-07-16
  • 【会议地点】中国浙江杭州
  • 【分类号】TN722.75
  • 【主办单位】中国半导体行业协会
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