【作者】 管和松； 李万成； 高福斌； 吴国光； 夏小川； 杜国同；

【Author】 Guan Hesong,Li Wancheng,Gao Fubin,Wu Guoguang,Xia Xiaochuan,Du Guotong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130012,China)

【机构】 吉林大学集成光电子国家重点实验室；

【摘要】 利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO（ZnO:As）薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al₂O₃衬底上（ZnO:As:A）;另一种是直接生长在GaAs衬底上（ZnO:As:G）。X射线光电子能谱（XPS）的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱（UPS）的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主As_Zn-2V_Zn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。更多还原

【Abstract】 Two kinds of arsenic-doped ZnO（ZnO:As） films were synthesized by metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）.One is grown on GaAs layer which was deposited on Al₂O₃ by radio frequency sputtering;the other was grown on GaAs substrate.X-ray photoelectron spectroscopy（XPS） measurements show that As atoms diffused into ZnO films in both conditions, ultraviolet photoelectron spectroscopy（UPS） indicates that acceptor exist in as-grown ZnO:As films.It means p-type doping may be achieved by this way.更多还原