【作者】 王晓亮； 陈堂胜； 唐健； 肖红领； 王翠梅； 李晋闽； 王占国； 侯洵；

【Author】 Wang Xiaoliang~(1a,b,c),Chen Tangsheng~2,Tang Jian~(1a,b,c),Xiao Hongling~(1a,b,c), Wang Cuimei~(1a,b,c),Li Jinmin~(1a,b,c),Wang Zhanguo~(1b),Hou Xun~(1c) (1a.Materials Science Center;b.Key Laboratory of Semiconductor Materials Science;c.ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatic;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;2.Nanjing Electron Devices Institute,Nanjing 210016,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所材料科学中心； 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室； 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室； 南京电子器件研究所；

【摘要】 使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50 mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEM)材料。50 mmHEM外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2 mm栅宽HEM,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对两个2 mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8 GHz,脉冲下输出功率为34.1 W,功率增益为6.1 dB,功率附加效率为37.3%。更多还原

【Abstract】 Optimized AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) with high mobility GaN channel layer structure was grown on 50 mm diameter semi-insulating 6H-SiC substrate by MOCVD.The 50 mm HEMT wafer exhibites a low average sheet resistance of 305.3Ω/□,with the resistance uniformity of 3.85%.For the single-cell HEMT device of 2 mm gate width fabricated using the materials,a maximum drain current density is 1.36 A/mm and an extrinsic transconductance is 460 mS/mm.The two-cell internally-matches GaN HEMT with 4 mm total gate width demonstrates a very high output power of 34.1 W at 8 GHz under the pulse condition,with a power added efficiency of 37.3%and power gain of 6.1 dB.更多还原