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高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究

Research on the Insulation Materials for AlN Crystals Growth by PVT

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【作者】 武红磊郑瑞生孟姝

【Author】 Wu Honglei,Zheng Ruisheng,Meng Shu (College of Optoelectronic Engineering,Shenzhen University,Shenzhen 518060,China)

【机构】 深圳大学光电工程学院

【摘要】 保温材料是影响高温气相法生长AlN晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备AlN最常用的保温材料,但是存在易引入C杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂AlN粉体制作了高温气相法生长AlN晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现,AlN保温材料具有耐高温、对W坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。但是,与石墨保温材料相比,AlN也存在热导率相对较高、在高温过程中AlN粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。

【Abstract】 The choice of thermal insulation materials is one of the crucial factors for growing AlN crystals by physical vapor transport(PVT).Graphite is the most popular insulation material for growing AlN crystals because of its low heat conductivity coefficient and good heat insulation. But it could bring carbon impurity and reduce lifetime of the tungsten crucible.AlN powder with no additive is used as a thermal insulation material for the physical vapor transport growth of AlN crystals.Comparing with the graphite insulator,the AlN thermal insulator has some advantages, such as,high working temperature,no damaging to the tungsten crucible,long lifetime, and low impurity pollution to the AlN crystals.But the AlN thermal insulator has higher heat conductivity and may bring slight pollution to the furnace due to its sublimation effect at high temperature,which should be overcome in the experiments.

【关键词】 氮化铝石墨晶体保温材料
【Key words】 AlNgraphitecrystalheat-insulationmaterial
【基金】 国家自然科学基金(60376003,60576005);深圳市科技计划费用项目(200517)
  • 【会议录名称】 第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集
  • 【会议名称】第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
  • 【会议时间】2008-11-30
  • 【会议地点】中国广东广州
  • 【分类号】O782
  • 【主办单位】中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会
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