【作者】 李忠辉； 董逊； 任春江； 李亮； 焦刚； 陈辰； 陈堂胜；

【Author】 Li Zhonghui,Dong Xun,Ren Chunjiang,Li Liang,Jiao Gang,Chen Chen,Chen Tangsheng (National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing 210016,China)

【机构】 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室；

【摘要】 利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10¹⁶/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增益7.62 dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。更多还原

【Abstract】 AlGaN/GaN HEMTs were grown by MOCVD on semi-insulating SiC substrates,the effects of the growth temperature and TMG flow rate on growth rate and Al composition were investigated. The AlGaN/GaN HEMTs show n×μproducts up to 2.2×10¹⁶/V·s at room temperature. The fabricated 1 mm gate width AlGaN/GaN HEMTs demonstrate a output power density of 10.52 W/mm at 8 GHz with a power added efficiency（PAE） of 45.8%and power gain of 7.62 dB at 45 V operation voltage.It indicates that the extension materials have better potential in the field of microwave application.更多还原