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SiH4浓度对混合气体Ar/SiH4/H2放电过程中粒子密度分布的影响

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【作者】 庄娟； 孙继忠； 桑超峰； 王德真；

【机构】 大连理工大学物理与光电工程学院；

【摘要】 <正>引言在利用Ar/SiH4/H2沉积微晶硅薄膜的过程中,SiH4浓度是非常重要的参数,其大小决定薄膜的结构和沉积率。然而,在大气压下混合气体Ar/SiH4/H2沉积微晶硅薄膜的过程中,SiH4浓度变化对放电过程中微晶硅薄膜沉积有重要影响的各种粒子密度分布的影响还不是完全了解。因此,本文研究SiH4浓度变化对硅薄膜沉积产生影响的粒子（包括电子SiH3、原子H等）密度在二维空间分布的影响。

【基金】 辽宁省自然科学基金(Grant No.201202037)对本研究的资助
  • 【会议录名称】 第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集
  • 【会议名称】第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
  • 【会议时间】2013-08-15
  • 【会议地点】中国上海
  • 【分类号】O461
  • 【主办单位】中国力学学会等离子体科学与技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核科学核聚变与等离子体物理学会
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