稀薄氧压下原位生长铜薄膜的氧化程度研究

【作者】 舒勇华； 刘崇； 王连红； 张俊； 李帅辉； 樊菁；

【机构】 中国科学院力学研究所高温气体动力学国家重点实验室；

【摘要】 在稀薄氧压下,用电子束蒸发的方法在铝酸镧（LaAlO₃）基片上沉积制备纳尺度的铜薄膜。基于超微量天平对沉积质量的精确测量,以及ICP-AES对薄膜中金属元素的准确分析,研究了基片温度和氧分压对铜原子在铝酸镧基片表面吸附系数的影响。同时,用超微量天平精确测量沉积薄膜的总质量,并用ICP-AES分析薄膜中铜元素的质量,进而确定了纳尺度铜薄膜的氧化程度,通过改变氧分压和基片温度,获得了铜薄膜的氧化程度与氧分压和基片温度之间的关系。用XRD分析了薄膜结构,用SEM观察了薄膜表面形貌,这些研究结果为三源共蒸发原位制备YBCO薄膜中基片温度和氧分压的选择提供了依据。更多还原