节点文献
低频功率对60MHz/20MHz双频C2F6/Ar/O2等离子体化学特性及SiCOH低k薄膜刻蚀的影响
【作者】 袁颖； 叶超； 陈天； 葛水兵； 刘卉敏； 崔进； 徐轶君； 邓艳红； 宁兆元；
【机构】 江苏省薄膜材料重点实验室苏州大学物理科学与技术学院；
【摘要】 本文主要研究了双频容性耦合C2F6/Ar/O2等离子体中低频功率对等离了体化学以及其对SiCOH低k薄膜的刻蚀特性的影响。研究发现,对于C2F6等离予体,低频功率的增长会促进C2F6的分解,这是由于低频功率的上升增加了离子碰撞的几率。然而随着放电气压的升高,C2F6的分解率下降,这是由于气压的升高导致电子温度的下降因而阻碍了C2F6的分解。对于C2F6Ar等离子体,低频功率的增大导致CF基团的减少,因而使等离子体有高的F/C比。而对于C2F6/Ar/O2等离子体,低频功率的上升促进了O2与C2F6的反应,消耗了CF3和CF2基团,从而使等离子体形成富F环境,降低了SiCOH低k薄膜的粗糙度,优化刻蚀特性。
- 【会议录名称】 第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集
- 【会议名称】第十五届全国等离子体科学技术会议
- 【会议时间】2011-08-08
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O484.5
- 【主办单位】中国力学学会等离子体科学与技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核学会核聚变与等离子体物理学会、第十五届全国等离子体科学技术会议组委会