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RF等离子体沉积硅基纳米结构研究

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【作者】 柯博陈牧笛杨宽朱晓东

【机构】 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系

【摘要】 <正>一维硅基纳米结构的可控生长,包括结构和物理特性的控制,一直是纳米结构生长研究的重要方向,尤其是纳米线的定向生长,掺杂等方面的研究备受期待。在容性耦合射频放电六甲基乙硅氧烷(HMDSO)/氢气(H2)等离子体中沉积出杂乱无章的SiOxCy纳米线。将源电极改装成管状铜电极以产生射流等离子体,进行有铜掺杂的SiOxCy纳米结构生长。在高的HMDSO的浓度下,过多的有机成分

  • 【会议录名称】 第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集
  • 【会议名称】第十五届全国等离子体科学技术会议
  • 【会议时间】2011-08-08
  • 【会议地点】中国安徽黄山
  • 【分类号】TB383.1
  • 【主办单位】中国力学学会等离子体科学与技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核学会核聚变与等离子体物理学会、第十五届全国等离子体科学技术会议组委会
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