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高掺硼多晶金刚石薄膜的XPS分析
【机构】 大连理工大学 物理与光电工程学院； 大连理工大学 三束实验室；
【摘要】 采用热丝辅助化学气相沉积法（HFCVD）,以N型（100）单晶高阻si片为衬底,制备了不同掺硼浓度的金刚石薄膜。采用四探针法测试了薄膜的电阻率,结果表明,硼碳原子比B/C<10000ppm时,电阻率随着掺硼浓度急剧下降;而硼碳原子比B/C>10000ppm时,电阻率变化则比较平缓。采用X射线光电子能谱对薄膜的微观结构进行了表征,XPS光谱的Cls和Bls的芯能级证实了硼与碳的化学键存在B4C、BC3.4形式的B-C,其中形成B4C的B-C没有形成有效的掺杂。薄膜的电阻率随着BC3.4的含量的增多而变大。
- 【会议录名称】 第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集
- 【会议名称】第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会
- 【会议时间】2009-07-20
- 【会议地点】中国辽宁大连
- 【分类号】O484.1
- 【主办单位】中国力学学会等离子体科学与技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核学会核聚变与等离子体物理学会