InGaAs/InP PIN光探测器的激光微细加工制作

【作者】 吴泽明；

【导师】 叶玉堂；

【作者基本信息】 电子科技大学 ， 光学工程， 2000， 硕士

【摘要】 用激光诱导扩散和激光辅助合金的方法，制成InGaAs/InP探测器，响应度达到0.21A/W。据我们所知，国内还未见关于用激光微细加工技术制作1.3～1.55μm PIN光探测器的报道。本文介绍了激光微细加工中曝光区温度的不接触测量、激光诱导扩散、激光辅助合金，以及用激光微细加工的方法制作光探测器的基本工艺，并且测试了光探测器的一些性能参数。更多还原

【Abstract】 The InGaAs/InP detectors ,with responsivity of 0.2 1A / W were fabricated using laser induced diffusion and laser assisted alloying. To our knowledge. this is the first report about fabrication of 1.3 1.55 p.m detector using laser assisted microprocessing in China. Remote sensing of the temperature of the exposed region in laser assisted microprocessing, laser-induced diffusion ,]aser assisted alloying and fabrication of detectors using laser microprocessing technologies were described, then some performance parameters of the detectors have been tested.更多还原