电容式高过载加速度敏感结构研究

【摘要】 为满足小量程电容式加速度传感器在汽车电子中高过载的要求，文章设计了量程为±2 g三轴电容式加速度敏感芯片，该芯片可将水平敏感轴(X、Y)和垂直敏感轴(Z)的结构集成在SOI晶片上。通过仿真分析对敏感结构进行了优化，得到芯片的结构及尺寸，设计的三轴加速度敏感芯片水平轴向电容灵敏度为0.5 pF/g，垂直轴向电容灵敏度为1.44 pF/g，交叉灵敏度均小于0.5%，2 000 g加速度加载时结构最大应力远小于硅材料极限应力，可实现高过载。更多还原