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高导热系数氮化铝嵌入式铝基板的制作工艺分析

Analysis of Manufacturing Process of High Thermal Conductivity Aluminum Nitride Embedded Aluminum Substrates

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【作者】 吉祥书周晓慧李银兵蒲文香李金贵胡荣昌

【Author】 JI Xiangshu;ZHOU Xiaohui;LI Yinbing;PU Wenxiang;LI Jingui;HU Rongchang;Zhejiang Wanzheng Electronic Technology Co.,Ltd.;School of Engineering Information,Hangzhou University of Electronic Science and Technology;

【机构】 浙江万正电子科技股份有限公司杭州电子科技大学工程信息学院

【摘要】 阐述氮化铝铝基散热板材的种类和特性。在铝基板上开槽并镶嵌氮化铝,氮化铝的散热系数可达275W/(m·K),嵌入氮化铝后可有效提高元器件的散热效果。通过在器件安装位的侧面开槽嵌入氮化铝,使得氮化铝的面积不受器件安装位上两个连接点的间距影响,并可根据散热需求规划各个氮化铝的面积,使得PCB基板的散热效果更好。

【Abstract】 This paper describes itride(AlN). By grooving the aluminum substrate and embedding AlN, the thermal conductivity of AlN can reach up to 275 W/(m·K), effectively enhancing the heat dissipation performance of components. Grooving and embedding AlN on the sides of the component mounting positions allows the area of AlN to be independent of the spacing between the two connection points on the mounting position, enabling the planning of AlN areas according to heat dissipation requirements, thereby improving the heat dissipation performance of the PCB substrate.

  • 【文献出处】 集成电路应用 ,Application of IC , 编辑部邮箱 ,2025年11期
  • 【分类号】TN41
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