基于虚实联动技术的集成电路氧化工艺研究

【摘要】 借助紫光教育公司的多功能实验基础平台、实验用半导体参数分析仪、HSLab软件，研究了集成电路制造工艺中的氧化工艺，通过工艺仿真、调整参数等分析比较了不同的氧化方式、氧化时间、氧化温度等对氧化效果的影响，并通过数据提取、数据输入、数据输出、数据画图等功能完成了两个任务：生成指定厚度的栅氧化层或掩蔽层，应用氧化技术进行硅局部氧化隔离技术（LOCOS），并优化工艺减小应力。研究结果表明，借助虚实联动技术可以以较低的成本、更高效设计来优化集成电路制造的关键工艺。更多还原