【摘要】 <正>南京电子器件研究所结合自主的硅基埋置异构集成工艺和InP HBT工艺,设计制造了国内首款基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片(如图1所示)。该芯片内部集成六倍频器、混频器、滤波器、放大器、伪码调制器等,采用球栅阵列封装(Ball grid array,BGA)接口,具有集成度高、损耗小、功耗低的特点。芯片工作在58～62 GHz,接收变频增益为20 dB[如图2(a)所示],接收输入功率1dB压缩点为22 dBm;发射输出饱和功率为14 dBm[如图2(b)所示],载波抑制度为30 dBc,尺寸5.0 mm×4.0 mm×0.3 mm(不含BGA),该芯片可以用于各种收发系统。南京电子器件研究所成功突破了基于硅通孔(Through silicon via,TSV)转接板的硅基埋置异构集成工艺。在200 mm(8英寸)TSV转接板上刻蚀形成不同深度的硅腔体,随后精确安置不同芯片,通过聚合物埋置与多层再分布层(Redistribution layer,RDL)布线完成互联,最终形成多芯片的硅基埋置异构集成芯片。该工艺具备多芯片埋置、高深宽比Cu TSV垂直传输、多层RDL布线、BGA引出等能力。通过采用芯片埋置和RDL布线取代了原有的金丝键合,使得该工艺架构在毫米波频段表现出优异的互联传输能力,结合PDK设计模型、倒装焊装配等技术可以极大降低毫米波系统设计制造的复杂度。更多还原