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基于SiC MOSFET非线性电容CGD的Matlab电路仿真模型
Matlab Circuit Simulation Model Based on SiC MOSFET Non-linear Capacitor CGD
【摘要】 基于Matlab和Simulink,提出了一种针对非线性器件的建模方法。以CREE公司的型号为C2M0080120D的SiC MOSFET为例,对其非线性电容CGD进行等效电路建模,采用曲线拟合的方法,使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征,将该模型的特性与datasheet进行对比,模型精度达到97.44%,证明了该模型的准确性。
【Abstract】 Based on Matlab and Simulink, a modeling method for non-linear devices was proposed. Taking the SiC MOSFET of CREE company C2M0080120D as an example, the equivalent circuit model of its nonlinear capacitance CGD was established. By using the curve fitting method, the non-linear capacitance characteristics of power devices which are not easy to realize in Simulink can be characterized. Compared with datasheet, the accuracy of the model was 97.44%. The accuracy of the model was validated.
【关键词】 Matlab；
Simulink；
SiC MOSFET；
非线性器件；
等效电路模型；
曲线拟合；
仿真模型；
建模；
【Key words】 Matlab； Simulink； SiC MOSFET； non-linear device； equivalent circuit model； curve fitting； simulation model； modeling；
【Key words】 Matlab； Simulink； SiC MOSFET； non-linear device； equivalent circuit model； curve fitting； simulation model； modeling；
【基金】 国家重点研发计划项目（2017YFB1200902）
- 【文献出处】 机车电传动 ,Electric Drive for Locomotives , 编辑部邮箱 ,2020年01期
- 【分类号】TN386
- 【被引频次】3
- 【下载频次】360