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X波段小型化高集成度130W功放载片研制

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【摘要】 本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标。功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标。

【关键词】 GaNX波段高集成度高增益小型化
  • 【分类号】TN722.75
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