重复经颅磁刺激技术对精神分裂症患者认知功能的效果分析

【摘要】 目的研究分析在精神分裂症患者中使用不同重复经颅磁刺激模式后改善认知功能的效果。方法 120例精神分裂症患者,按照治疗方式不同分为伪刺激组、θ短阵快速脉冲刺激(TBS)组、10 Hz组以及20 Hz组,每组30例。四组均采用奥氮平治疗,且均选取左侧前额叶背外侧皮质区进行重复经颅磁刺激,伪刺激组对线圈进行翻转,背面朝向头部,给予10 Hz的刺激频率;TBS组使用5 Hz的基本序列模式;10 Hz组给予10 Hz的刺激频率;20 Hz组给予20 Hz的刺激频率。观察比较四组患者治疗前后的认知功能情况,包括词汇流畅性测试(VFT)评分以及视空间工作记忆(VSWM)评分。结果治疗前,四组患者的VFT、VSWM评分比较差异无统计学意义(P>0.05)。治疗后,四组患者的VFT、VSWM评分均显著高于治疗前,差异具有统计学意义(P<0.05);TBS组患者的VFT评分(43.32±1.43)分显著高于伪刺激组的(34.54±1.54)分、10 Hz组的(36.89±1.54)分、20 Hz组的(36.54±2.32)分,而20 Hz组患者的VSWM评分(27.32±2.01)分显著高于伪刺激组的(17.11±2.22)分、TBS组的(18.65±2.43)分、10 Hz组的(18.32±1.54)分,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论临床上针对精神分裂症患者治疗中,应该根据患者的实际情况,选取对应的不同重复经颅磁刺激疗法能够获得更好的效果。更多还原