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掺杂对量子点电子结构的影响

The electronic structures’ change of doped quantum dot

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【作者】 何春山黄钢明

【Author】 HE Chunshan;HUANG Gangming;School of Physics,Sun Yat-Sen University;

【通讯作者】 黄钢明;

【机构】 中山大学物理学院

【摘要】 用有效质量近似理论和哈密顿量H对角化方法计算了在谐振子势中,量子点(含8个极化电子)的本征能量和本征波函数,并通过从本征波函数中提取一体、二体和三体密度函数的方法,得到了电子结构的直观图像。分析了掺杂(带单位正电荷或单位负电荷的杂质)对量子点电子结构的影响。研究结果表明:正掺杂会增加量子点中心电荷的聚集,而负掺杂则会在量子点中心形成电荷空白区。

【Abstract】 With the effective-mass approximation and the method of diagonalization of the Hamiltonian,the eigenvalue of energy and the eigen-wave-function of quantum dots(8 polarized electrons) have been calculated in the harmonic oscillator potential,and the clear electronic structures have been gained by the methods of one-body,two-body and three-body density functions. The electronic structures’ change is analyzed when the quantum dot is doped( adding one positive or negative electron). The results show that positive doping increases the aggregation of the central charge of the quantum dots,while the negative dopant forms the charge void at the center.

【关键词】 量子点电荷密度掺杂电子结构
【Key words】 quantum dotcharge densitydopingelectronic structures
【基金】 国家自然科学基金(11374375)
  • 【文献出处】 中山大学学报(自然科学版) ,Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni , 编辑部邮箱 ,2018年04期
  • 【分类号】O413;TB383.1
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