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InAs/GaAs量子点1.3μm单光子发射特性  
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【英文篇名】 1.3 μm single photon emission from InAs/GaAs quantum dots
【下载频次】 ★★★☆
【作者】 张志伟; 赵翠兰; 孙宝权;
【英文作者】 Zhang Zhi-Wei; Zhao Cui-Lan; Sun Bao-Quan; College of Physics and Electronic Information; Inner Mongolia University for Nationalities; State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures; Institute of Semiconductors; Chinese Academy of Sciences;
【作者单位】 内蒙古民族大学物理与电子信息学院; 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2018年 23期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 InAs/GaAs量子点; 1.3μm; 单光子发射;
【英文关键词】 InAs/GaAs quantum dots; 1.3 μm; single photon emission;
【摘要】 采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5 K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns;单量子点荧光二阶关联函数为0.015,显示单量子点荧光具有非常好的单光子特性;利用迈克耳孙干涉装置测量得到单光子的相干时间为22 ps,对应的谱线半高全宽度为30μeV,且荧光谱线的线型为非均匀展宽的高斯线型.
【英文摘要】 Single-photon emitters are crucial for the applications in quantum communication, random number generation and quantum information processing. Self-assembled InAs/GaAs quantum dots(QDs) have demonstrated to have singlephoton emission with high extraction efficiency, single-photon purity, and photon indistinguishability. Thus they are considered as the promising deterministic single-photon emitters. To extend the emission wavelength of InAs/GaAs QDs to telecom band, several methods have been developed, such ...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:11464034); 内蒙古自治区自然科学基金(批准号:2016MS0119)资助的课题~~
【更新日期】 2018-12-28
【分类号】 O471.1
【正文快照】 layer)和有效量子点层(active layer)以及两层之间1引言的GaAs空间层.通过调节外延过程中种子层的生长温度、InAs的沉积量和空间层的厚度等参数,可由于光通信波段单光子源在光纤传输中的优以降低种子层量子点的密度,从而将多余的应力释势,研制该波段半导体单量子点单光子源得到

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