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热处理对Mg-Al-Si-Ti-B系微晶玻璃析晶及介电性能的影响  
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【英文篇名】 Heat-treatment on Crystallization and Dielecty Property of Mg-Al-Si-Ti-B Glass-ceramics
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【作者】 屈婧婧; 魏星; 刘飞; 袁昌来; 陈国华; 黄先培;
【英文作者】 QU Jing-Jing; WEI Xing; LIU Fei; YUAN Chang-Lai; CHEN Guo-Hua; HUANG Xian-Pei; School of Mechanical and Electrical Engineering; Guilin University of Electronic Technology; Department of Science and technology; Guilin University of Aerospace Technology; Guangxi Key Laboratory of Information Materials;
【作者单位】 桂林电子科技大学机电工程学院; 桂林航天工业学院科技处; 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室;
【文献出处】 无机材料学报 , Journal of Inorganic Materials, 编辑部邮箱 2018年 12期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 热处理; 微晶玻璃; MgSiO3; 微波介电性能;
【英文关键词】 heat-treatment; glass-ceramics; MgSiO3; microwave dielectric properties;
【摘要】 采用差热分析仪(DSC),X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,研究了不同烧结制度下19MgO-23Al_2O_3-53SiO_2-4TiO_2-2.5B_2O_3(wt%,M-A-S-T-B)系微晶玻璃样品的析晶过程、相成分与含量及微观形貌,并分析了核化与晶化时间对材料微波介电性能的影响关系。结果表明,根据玻璃受控析晶机制,当热处理制度为850℃/2 h+950℃/2 h时,斜顽辉石(MgSiO_3)相得以较好的析出,且伴随有α-堇青石(Mg_2Al_4Si_5O_(18))、镁铝硅酸盐(x MgO-y Al_2O_3-z SiO_2)和方石英(α-SiO_2)相的析出。随着核化时间的延长,M-A-S-T-B体系各晶相种类及析出量变化不明显;而随着晶化时间的延长(20 h),材料的晶化程度提高,品质因数(Q×f)得以提升,颗粒状晶粒析出趋于显著;但当晶化时间进一步延长至30 h时,样品致密度降低,介电损耗略有增大。在热处理制度为850℃/2 h+950℃/20 h下,样品获得的微波介电性能较优:ε_r=3.85、τ_f≈–5.37×10~(–6)/℃和Q×f≈12740 GHz(f_0...
【英文摘要】 Effects of different heat-treatment process on the crystallization,phase composition and content,and microstructure of 19MgO-23Al_2O_3-53SiO_2-4TiO_2-2.5B_2O_3(wt%,M-A-S-T-B)were studied by means of differential scanning calorimeter(DSC),X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscope(SEM)techniques.The influence of different nucleation and crystallization time on the microwave dielectric properties were discussed as well.The results showed that,based on the controlled crystallization mechanism of gl...
【基金】 广西自然科学基金(2017GXNSFBA198093); 国家自然科学基金(11464006)~~
【更新日期】 2019-01-07
【分类号】 TQ171.733
【正文快照】 Natural Science Foundation of Guangxi (2017GXNSFBA198093); National Natural Science Foundation of China (11464006)随着信息技术的飞速发展,对各类电子装置中元器件的性能要求也日益提高[1-3]。在电子封装领域中,能够满足多种性能综合要求的元器件封装基板材料也相继更

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