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13.5 nm放电Xe等离子体极紫外光源  
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【英文篇名】 13.5 nm Extreme Ultraviolet Light Source Based on Discharge Produced Xe Plasma
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【作者】 赵永蓬; 徐强; 李琦; 王骐;
【英文作者】 Zhao Yongpeng; Xu Qiang; Li Qi; Wang Qi; National Key Laboratory of Science and Technology on Tunable Laser; Harbin Institute of Technology; College of Science; Northeast Forestry University;
【作者单位】 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室; 东北林业大学理学院;
【文献出处】 中国激光 , Chinese Journal of Lasers, 编辑部邮箱 2018年 11期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 X射线光学; 极紫外光源; 放电等离子体; Xe; 极紫外光刻;
【英文关键词】 X-ray optics; EUV light source; discharge produced plasma; Xe; EUV lithography;
【摘要】 搭建了极紫外光源实验装置,获得了中心波长为13.5 nm的Xe等离子体极紫外的辐射光谱。测量了极紫外辐射的时间特性,用多次箍缩理论解释了光脉冲的多峰结构。获得了主脉冲电流幅值、Xe气流量、陶瓷管内径、等离子体长度、辅助气体等实验参数对极紫外辐射强度的影响规律。搭建了重复频率为1 kHz的13.5 nm极紫外光源样机,介绍了样机的电源系统、放电系统、去碎屑系统和光收集系统的基本情况,并给出了光源样机的调试结果。
【英文摘要】 The experimental setup of an extreme ultraviolet(EUV) light source is built. The EUV radiation spectrum with a central wavelength of 13.5 nm from the Xe plasma is obtained and the temporal characteristics are characterized. The multi-peak structure of a light pulse is clarified by the multiple pinch theory. The influence laws of the experimental parameters such as the current amplitude of main pulse, Xe flow rate, inner diameter of ceramic tube, plasma length, and auxiliary gas on EUV radiation intensity ar...
【基金】 国家自然科学基金重点项目(60838005); 国家科技02重大专项子课题(2008ZX02501-001)
【更新日期】 2018-12-20
【分类号】 O434.2
【正文快照】 1 引 言 目前,极大规模集成电路芯片的工业生产主要采用193 nm激光光刻技术,其刻线的最小尺寸已小于16 nm,已经接近理论极限。为了进一步减小刻线的最小尺寸以提高芯片的集成度,下一代光刻采用波长更短的曝光光源。所有固体材料对波长短于100 nm的光都有强烈的吸收,故下一代光

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