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液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究  
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【英文篇名】 Study of Chemo-mechanical Polishing Process of Long-wave HgCdTe Film Grown by LPE
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【作者】 王静宇; 宋林伟; 孔金丞; 吴军; 洪雁; 张阳; 李东升;
【英文作者】 WANG Jingyu; SONG Linwei; KONG Jincheng; WU Jun; HONG Yan; ZHANG Yang; LI Dongsheng; Kunming Institute of Physics;
【作者单位】 昆明物理研究所;
【文献出处】 红外技术 , Infrared Technology, 编辑部邮箱 2018年 10期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 碲镉汞(MCT); 化学机械抛光(CMP); 液相外延; 粗糙度; 平整度;
【英文关键词】 HgCdTe(MCT); chemo-mechanical polishing(CMP); liquid phase epitaxy(LPE); roughness; flatness;
【摘要】 基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工艺能有效去除外延材料表面固有的竖纹、花纹、斜纹等宏观缺陷,同时可明显改善外延材料表面平整度及粗糙度,0.5 mm×0.5 mm范围内薄膜表面平整度值降低到20 nm以下,粗糙度值降低到4 nm以下,提高了碲镉汞外延材料表面质量。化学机械抛光后的长波材料经标准器件工艺制备出的焦平面器件可达到较好长波器件水平。
【英文摘要】 The chemo-mechanical polishing(CMP) process was applied to the surface of long-wave HgCdTe(MCT) material grown by liquid phase epitaxy(LPE). The surface morphology of MCT films was characterized by a microscope, white-light interferometer(WLI), and 3D measuring laser microscope. The results showed that macro-defects in the MCT film surface could be removed by the CMP process. The surface roughness and flatness of MCT film were also reduced to 4 nm and 20 nm, which indicated an improvement in the quality of ...
【更新日期】 2018-11-22
【分类号】 TN305.2
【正文快照】 碲镉汞材料是具有直接带隙的化合物材料,其禁带宽度可随组分x的变化在0~1.6 e V范围内连续调节,可实现对整个红外波段的探测,是目前红外探测器研制的首选材料,在精确制导、空间遥感、导弹预警及航天领域等方面有着重要的应用[1]。碲镉汞材料的生长方法较多,其中液相外延法(Liqu

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