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Ar~+轰击SrTiO_3表面缺陷的模拟计算方法研究  
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【英文篇名】 Simulation calculation method of SrTiO_3 surface defects by Ar~+ bombardment
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【作者】 王放; 曾慧中; 张万里;
【英文作者】 WANG Fang; ZENG Huizhong; ZHANG Wanli; State Key laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices; University of Electronic Science and Technology of China;
【作者单位】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2018年 11期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 蒙特卡罗模拟; SRIM程序; 计算; 钛酸锶; 氧空位; 非晶层;
【英文关键词】 Monte Carlo simulation; SRIM process; calculation; SrTiO_3; oxygen vacancy; amorphous layer;
【摘要】 SrTiO_3的电学性质严重依赖于氧空位浓度。采用Ar~+轰击SrTiO_3能使其表面产生氧空位。本文提出了一种基于蒙特卡罗模拟辅助控制离子注入时间的方法,利用SRIM程序模拟Ar~+注入Sr TiO_3,分析了氧空位的分布情况,再通过迭代计算研究氧空位浓度随时间的变化趋势。通过此算法得出时间与非晶化层的关系,从而辅助实验上控制离子注入的时间。
【英文摘要】 The electrical properties of SrTiO_3 are strongly dependent on the oxygen vacancy concentration. Using Ar~+ bombardment can cause oxygen vacancy on the surface of SrTiO_3. This paper proposed a method based on Monte Carlo simulation to controlion implantation time. The movement of Ar~+ after being implanted into SrTiO_3 was simulated by using SRIM process. The distribution of oxygen vacancy was analyzed, and through iterative calculation the relation ship between the oxygen vacancy concentration and the tim...
【基金】 国家自然科学基金项目(U1435208)
【更新日期】 2018-12-25
【分类号】 O483
【正文快照】 由于计算机模拟实验方法相对成本低、易操有MORSE、EGS、SRIM等。SRIM作为一套开源作、变化范围大,所以计算机模拟得到广泛运用。的离子注入模拟软件,是目前模拟离子注入运用最计算机模拟离子注入主要包括分子动力学和蒙特卡广泛的。SRIM (The Stopping and Range of Ions in罗

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