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电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列  
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【英文篇名】 Fabrication of silicon micro-tip arrays using wet electrochemical etching method
【下载频次】 ★★★★☆
【作者】 李鑫; 罗洁; 任丁;
【英文作者】 LI Xin; LU O Jie; REN Ding; Key Laboratory of Radiation and Technology of Education Ministry of China; Institute of Nuclear Science and Technology; Sichuan University;
【作者单位】 四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2018年 11期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 无机非金属材料; 硅微尖阵列; 倒棱台; 微柱形成模型; HF阳极电化学腐蚀; TMAH各向异性湿法腐蚀;
【英文关键词】 inorganic non-metallic materials; silicon micro-tip arrays; invert truncated pyramid; micro-tip formation model; HF anode electrochemical etching; TMAH anisotropic wet etching;
【摘要】 采用TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件。借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨。结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关。倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构,且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径。微柱直径始终小于2倍的空间电荷区宽度。微柱内载流子的耗尽是微柱未被刻蚀的主要原因。
【英文摘要】 TM AH anisotropic wet etching was applied for the fabrication of ITPN( invert truncated pyramid notch) on P( 100)silicon substrate,and then the silicon micro-tip array was prepared using HF anode electrochemical etching. In order to investigate the formation process,asilicon micro-tip formation model was developed based on the formation mechanism of Ntype porous silicon.The relationships among the geometrical structure parameters of the micro-tip were studied. The results indicate that the formation of micr...
【基金】 国家自然科学基金青年科学基金(11005076,11305029)
【更新日期】 2018-12-25
【分类号】 TN305.7
【正文快照】 自Uhlir[1]、Turner[2]发现硅的阳极电化学刻蚀膜光刻工艺能制备用途广泛的多孔硅阵列现象之后,多孔硅特殊的几何结构、物理性能及化器件[7-11]。学性能备受关注,对多孔硅的研究也未曾中断[3-6]。通常制备多孔硅阵列需先在掩膜开口处形成倒虽然,近年来随着微纳米加工技术的发展

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