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新型碱性清洗液对CMP后残留SiO_2颗粒的去除  
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【英文篇名】 Removal of colloidal silica abrasive in post CMP cleaning using FA/O alkaline cleaning solutions
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【作者】 杨柳; 刘玉岭; 檀柏梅; 高宝红; 刘宜霖;
【英文作者】 YANG Liu; LIU Yuling; TAN Baimei; GAO Baohong; LIU Yilin; School of Electronic Information Engineering; Hebei University of Technology; Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices;
【作者单位】 河北工业大学电子信息工程学院; 天津市电子材料与器件重点实验室;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2018年 05期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 CMP后清洗; 碱性清洗液; FA/OII型螯合剂; O-20型活性剂; 表面粗糙度; 表面张力;
【英文关键词】 post CMP cleaning; alkaline cleaning solution; FA/OII chelating agent; O-20 surfactant; surface roughness; surface tension;
【摘要】 随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂。FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节p H值,还能在CMP条件下与表面生成的Cu O和Cu(OH)_x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的Si O_2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走。通过一系列对比试验得出,当清洗液中FA/OII型螯合剂的体积分数为0.015%,表面活性剂的体积分数为0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象。
【英文摘要】 With the integration of integrated circuits improving continuously,the cleaning after chemical planarization(CMP)is particularly important in semiconductor technology.This paper introduces a kind of novel FA/O alkaline cleaning solutions.Its main ingredients include FA/OII chelating agent and O-20 non-ionic surfactant.FA/OII chelating agent is a kind of organic amine alkali.It not only adjusts the p H value,but also reacts with the Cu O and Cu(OH)_x and generates stable complex compound.At the same time,the...
【基金】 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003—004-007); 国家自然科学基金资助项目(NSFC61504037); 河北省博士后择优资助项目(B2015003010)
【更新日期】 2018-06-07
【分类号】 TN305
【正文快照】 随着芯片集成度的增加(每隔三年翻两番)和半导体器件特征尺寸的不断缩小(每隔三年缩小1/3),极大规模集成电路金属布线层数不断增加,低电阻率的Cu代替Al成为90nm以下IC的互联金属[1-4]。Cu互联采用双大马士革工艺制备,通过化学机械抛光去除多余的铜和阻挡层,获得平坦化表面[5],?

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