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【摘要】 <正>碳化硅作为具有良好性能的第三代半导体材料,在MEMS、高能半导体器件等领域具有很大发展潜力.但该类材料硬度高、脆性大,加工困难,通常采用化学机械抛光(CMP)实现其基片表面的全局平坦化加工.CMP依靠嵌入抛光垫的磨粒对基片表面化学改性层进行机械去除,切削深度为纳米级.由于尺寸效应,传统切削理论无法很好地解释其机理,而分子动力学(MD)是探究原子尺度过
- 【文献出处】 材料科学与工艺 ,Materials Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2018年03期
- 【分类号】TQ163.4
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