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缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响  
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【英文篇名】 Buffer layer influence on light absorption of electron intersubband transition in binary energy level systems of quantum wells
【下载频次】 ★★
【作者】 李群; 屈媛; 班士良;
【英文作者】 Li Qun; Qu Yuan; Ban Shi-Liang; Department of Physical Science and Technology; Inner Mongolia University;
【作者单位】 内蒙古大学物理科学与技术学院;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2017年 07期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 ZnO缓冲层; ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱二能级系统; 电子子带间跃迁; 三元混晶;
【英文关键词】 ZnO buffer layer; binary energy level system of ZnO/Mg_xZn_(1-x)O quantum well; electron intersubband transition; ternary mixed crystal;
【摘要】 由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr?dinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导.
【英文摘要】 Due to the restriction of the ZnO buffer layer on the left barrier in a wurtzite asymmetric ZnO/Mg_xZn_(1-x)O single quantum well(QWs) structure with finite barriers, the other factors such as the size of the well and right barrier, and Mg component, etc. will influence the critical value of the left barrier width to form a binary level energy system. By adopting a finite difference method to solve the Schr?dinger equation, the eigenstates and eigenenergies of electrons in a two-dimensional electron gas are...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:61274098,11304142)资助的课题~~
【更新日期】 2017-04-27
【分类号】 O471.1
【正文快照】 1引言近年来,应变纤锌矿半导体及其低维结构材料广泛应用于现代照明和太赫兹通信领域,成为制备新一代电子和光电子器件的重要材料.纤锌矿半导体材料Zn O和Mg O的禁带宽度分别为3.37[1]和7.8 eV[2],由于Zn离子和Mg离子的晶格常数非常接近[3],通常在Zn O材料中掺杂Mg制成三元混晶

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