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O2/（O2+Ar）流量比对ZnO-0.25mol% V2O5薄膜缺陷类型的影响
Effect of O2/（O2+ Ar） Ratios on the Type of Defects in ZnO-0. 25mol% V2O5 Thin Films
【摘要】 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V2O5（ZnO∶V）薄膜,研究了O2/（O2+Ar）流量比（0%87.5%）对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位（VO）和间隙锌（Zni）杂化形成的复合体,两者比例随O2/（O2+Ar）流量比而变化。
【Abstract】 ZnO-0. 25mol% Vanadium（ ZnO ∶ V） thin films were deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering. The type of defects in ZnO∶ V thin films under different O2/（ O2+ Ar） ratios（ 0%-87. 5%） was investigated. The deposited ZnO ∶ V thin films have wurtzite structure and show c-axis preferred orientation. V4 + and V5 + ions coexist in the films. The defect in ZnO ∶ V thin films is the complex of VO and Zni. And the ratio of VO to Zni changed with the O2/（ O2+ Ar） ratio.
【关键词】 ZnO∶V薄膜；
射频磁控溅射；
掺氧量；
缺陷态；
【Key words】 ZnO∶ V thin film； RF magnetron sputtering； oxygen content； defect state；
【Key words】 ZnO∶ V thin film； RF magnetron sputtering； oxygen content； defect state；
【基金】 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题(15QT02)
- 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2017年04期
- 【分类号】TN304.21
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