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TiO_2和SiO_2纳米掺杂聚酰亚胺复合薄膜的电学性能研究  
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【英文篇名】 Study on Electrical Properties of TiO_2 and SiO_2 Nano-doping Polyimide Composite Films
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【作者】 熊海安; 梅金硕; 殷景华;
【英文作者】 Xiong Hai'an; Mei Jinshuo; Yin Jinghua; College of Applied Science; Harbin University of Science and Technology; Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application; Ministry of Education;
【作者单位】 哈尔滨理工大学应用科学学院; 哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室;
【文献出处】 绝缘材料 , Insulating Materials, 编辑部邮箱 2017年 05期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 聚酰亚胺; 光激电流法; 纳米复合材料; 电学性能; 陷阱能级;
【英文关键词】 polyimide; photo-stimulated discharge current method; nanocomposite; electrical properties; trapping level;
【摘要】 采用原位聚合法制备了PI/TiO_2和PI/SiO_2纳米复合薄膜。研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激放电电流法(PSD)表征两种纳米颗粒对PI复合薄膜陷阱能级的影响,通过陷阱理论对介电性能的影响机制进行探讨。结果表明:TiO_2和SiO_2纳米掺杂提高了PI的电导率和介电常数,介质损耗相应增加,耐电晕寿命明显提高,电气强度虽有所下降但仍满足实际需要。两种纳米掺杂都在PI基体中引入了大量的浅陷阱,PI/TiO_2和PI/SiO_2复合薄膜的陷阱能级范围分别为1.83~2.85 e V和2.13~2.83e V,且SiO_2纳米颗粒引入的浅陷阱密度低于TiO_2纳米颗粒。在此基础上,通过陷阱理论分析了两种复合薄膜的耐电晕老化机制。
【英文摘要】 PI/TiO_2 and PI/SiO_2 nano composite films were prepared through in-situ polymerization method.The effects of two nano-doping with mass fraction of 10% on the dielectric properties of the PI composite films were studied. The influence of two nanoparticles on the trapping levels of the PI composite films were studied using photon-stimulated discharge current method(PSD). Meanwhile, the influence mechanism of dielectric properties was discussed according to the trap theory. The results show that after doping ...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(51337002、51307046)
【更新日期】 2017-06-20
【分类号】 TM21
【正文快照】 0引言聚酰亚胺(PI)因具有优异的耐热性能、耐磨性能、高气体渗透性、耐化学性能、电绝缘性能等被广泛应用于电力电子系统、能量储存、电机绝缘及航空航天等领域。当聚酰亚胺应用于变频调速技术时,由于受到长期的电晕放电,聚酰亚胺发生老化甚至被击穿破坏,严重影响其正常使用[1-

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