二氧化铈抛光液化学机械抛光微晶玻璃的机理及优化-中国学术期刊网络出版总库

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二氧化铈抛光液化学机械抛光微晶玻璃的机理及优化

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【英文篇名】	Mechanism and optimization of chemical-mechanically polishing ceramic glass substrate with CeO_2 slurry
【下载频次】	★★★★★
【作者】	白林山; 王金普; 储向峰;
【英文作者】	BAI Linshan; WANG Jinpu; CHU Xiangfeng; School of Chemistry and Chemical Engineering; Anhui University of Technology;
【作者单位】	安徽工业大学化学与化工学院;
【文献出处】	金刚石与磨料磨具工程 , Diamond & Abrasives Engineering, 编辑部邮箱 2017年 02期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	二氧化铈; 微晶玻璃; 化学机械抛光; 材料去除速率;
【英文关键词】	CeO2; ceramic glass; chemical mechanical polishing; material removal rate;
【摘要】	以纳米CeO_2为磨料自制抛光液,研究磨料质量分数、pH值、抛光液流量、抛光盘转速、表面活性剂种类和氟化铵质量分数等因素对微晶玻璃化学机械抛光的影响,分析总结CeO_2在微晶玻璃化学机械抛光中的作用机理,利用原子力显微镜(AFM)检测微晶玻璃抛光后的表面粗糙度。结果表明:当CeO_2质量分数为3%、抛光液流量为25mL/min、抛光盘转速为100r/min、pH=8.0、十二烷基硫酸钠质量分数为0.01%,氟化铵质量分数为0.7%时,抛光后微晶玻璃表面粗糙度(Ra)最低为0.72nm,材料去除速率达到180.91nm/min。
【英文摘要】	The effects of mass fraction of abrasive,pH value,flow rate of polishing slurry,rotate speed,surfactant types and mass fraction of NH_4 F on the material removal rate and the surface roughness of the ceramic glass substrate were investigated by CeO_2 slurry.The surface roughness of the ceramic glass substrates after being polished was characterized by atomic force microscope.Results show that the material removal rate(MRR)could reach 180.91nm/min and the surface roughness could reach 0.72 nm under the follo...
【基金】	国家自然科学基金项目(50975002); 教育部高校留学回国人员科研项目
【更新日期】	2017-06-05
【分类号】	TQ171.684;TQ171.733
【正文快照】	随着计算机技术的快速发展,计算机硬盘朝着高存储、大容量和高可靠性的方向发展[1],这要求盘片的转速越来越快,磁头的飞行高度越来越低。但是随着盘片转速的提高,盘片表面气体湍流作用较强,对盘片造成较大的冲击,容易损坏盘片,另外,当转速足够大时,硬盘振动幅度增大,盘片在强振

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