【目的】获得在SnTe基热电材料中掺杂Sb后的相关系。【方法】采用X-ray Diffraction Analysis(XRD)、Scanning Electron Microscope(SEM)及Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy(EDS)对合金样品进行测试,绘制Sn-Sb-Te三元系图200℃等温截面并进行相关系分析。【结果】Sn-Sb-Te三元体系200℃等温截面由3个单相区、5个两相区和5个三相区组成。其中,5个三相区分别是Sb_2Te_3+Te+SnSb_2Te_4、SbTe+SnSb_2Te_4+Sb_2Te_3、SnTe+δ-Sb_2Te+Sb、SnTe+SnSb+Sb和SnTe+SnSb+Sn。200℃时,Sb元素在SnTe相中的固溶度为3.57at.%;此外,在200℃下Sn-Sb-Te三元系中出现文献报道的SnSb_2Te_4三元相。【结论】通过合金法测定了Sn-Sb-Te三元合金相图在200℃的相平衡关系,为进一步开发SbTe基热电材料提供有益参考。
【英文摘要】
【Objective】In order to obtain the correlation after doping Sb in the thermoelectric conversion materials of the matrix SnTe.【Methods】The isothermal section of the Sn-Sb-Te ternary system at 200℃ was determined and analysized.The alloy samples were investigated by X-ray diffraction analysis(XRD),scanning electron microscope(SEM)and energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDS)techniques.【Results】The results show that the isothermal section of the Sn-Sb-Te system at 200℃is composed of three single phase regions,f...
(School of Physical Science and Technology,Guangxi University,Nanning,Guangxi,530004,China)0引言【研究意义】SnX是典型的窄带隙半导体材料,研究发现在半导体材料SnTe、SnSe和SnS中存在着拓扑绝缘态[1-4]。此外,SnX材料还具有良好的热电性能[5-7]。SnTe是SnX半导体材料?
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