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CeO_2缓冲层对蓝宝石基Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构和介电性能的影响  
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【英文篇名】 Effects of CeO_2 buffer layer on structure and dielectric properties of Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 film prepared on sapphire substrate
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【作者】 宋安英; 宋建民; 李振娜; 代秀红; 娄建忠; 刘保亭;
【英文作者】 SONG Anying; SONG Jianmin; LI Zhenna; DAI Xiuhong; LOU Jianzhong; LIU Baoting; Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials; College of Physics Science and Technology; Hebei University; College of Science; Hebei Agricultural University; Hebei Province Key Laboratory of Digital Medical Engineering; College of Electronic Information Engineering;
【作者单位】 河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室; 河北农业大学理学院; 河北大学电子信息工程学院河北省数字医疗工程重点实验室;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2017年 04期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜; Ce O_2缓冲层; 蓝宝石衬底; 外延薄膜; 介电性能; 叉指电容器;
【英文关键词】 Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3film; Ce O_2 buffer layer; Al_2O_3 substrates; epitaxial film; dielectric property; interdigital capacitor;
【摘要】 利用磁控溅射法制备Ce O_2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,在Al_2O_3(11—02)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3和Pt/BST/Al_2O_3叉指电容器,对比研究了Ce O_2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介电性能的影响。通过X射线衍射仪、原子力显微镜和LCR表分别对叉指电容器的结构、表面形貌和介电性能进行了表征。实验发现,直接沉积在蓝宝石上的BST薄膜为多晶结构,生长在Ce O_2缓冲层上的BST为(001)取向的高质量外延薄膜。生长在Ce O_2缓冲层上的BST薄膜相对于没有缓冲层的BST薄膜具有更小的晶粒和均方根粗糙度。在40 V偏置电压下,Pt/BST/Al_2O_3和Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3叉指电容器的调谐率分别是13.2%和25.8%;最小介电损耗为0.021和0.014。结果表明Ce O_2缓冲层对生长在蓝宝石基片上的BST薄膜结构和介电性能具有重要影响。
【英文摘要】 Pt/BST/Al_2O_3 and Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3 interdigital capacitors were fabricated on the Al_2O_3(1102) substrates, in which Ce O_2 buffer layer and Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST) film were prepared by magnetron sputtering and pulsed laser deposition, respectively. Impacts of Ce O_2 buffer layer on structure, surface morphology and dielectric properties of the deposited BST thin film were investigated using X-ray diffraction system, atomic force microscope and LCR meter, respectively. It is found that BST film gr...
【基金】 国家自然科学基金资助(No.11374086); 河北省自然科学基金资助(No.E2014201188,E2014201063)
【更新日期】 2017-05-05
【分类号】 O484
【正文快照】 钛酸锶钡(Ba1-xSrxTi O3,简称BST)是钛酸锶和钛酸钡的固溶体,具有介电常数高、调谐率大、介电损耗低、漏电流密度低和不易疲劳等优点,广泛应用于移相器、变容器、动态存储器、温度传感器 和相控阵雷达等器件,BST薄膜已成为铁电材料研究的热点[1-4]。 目前,可以在Mg O和La Al

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