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InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响  
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【英文篇名】 Influence of Polarization Effect on the Luminescence Properties of InGaN-Based LEDs
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【作者】 刘亚莹; 蒋府龙; 刘梦涵; 方华杰; 高鹏; 陈鹏; 施毅; 张荣; 郑有炓;
【英文作者】 Liu Yaying; Jiang Fulong; Liu Menghan; Fang Huajie; Gao Peng; Chen Peng; Shi Yi; Zhang Rong; Zheng Youdou; Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology; School of Electronic Science and Engineering; Nanjing University; Institute of Optoelectronics at Yangzhou;
【作者单位】 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室; 南京大学扬州光电研究院;
【文献出处】 微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2017年 08期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 InGaN; 电致发光; 峰位; 相对外量子效率; 极化效应; 俄歇复合;
【英文关键词】 InGaN; electroluminescence; peak position; relative external quantum efficiency; polarization effect; Auger recombination;
【摘要】 主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。
【英文摘要】 The influence of polarization effect on the luminescence characteristics of InGaN-based LEDs was researched by the experimental means of electroluminescence.It is found that the peak position of the InGaN-based LED has a blue shift before a red shift with the increase of the injection current,while the peak position of the AlGaInP-based red LED only has a red shift.The peak positions of the blue and green LEDs are blue-shifted by 3 nm and 8 nm,respectively.By further study,it is found that the external quan...
【基金】 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100,2016YFB0400602,2016YFB0400402); 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032605,2015AA033305); 国家自然科学基金资助项目(61274003,61422401,51461135002,61334009); 江苏省自然科学基金资助项目(BY2013077,BK20141320,BE2015111)
【更新日期】 2017-07-20
【分类号】 TN312.8
【正文快照】 2.南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009)0引言发光二极管(LED)具有发光效率高、成本低、工作寿命长等特点,因此被广泛应用于各个领域。随着应用的深入,对LED亮度和发光功率的要求也逐渐提高,目前已制备出由AlGaInP半导体材料为基础的大功率红、黄光LED和由InGaN半导体材料为

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