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热处理对掺镓直拉单晶硅中缺陷及少子寿命的影响

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【英文篇名】	Defects and Minority Lifetime of Ga Doped Cz-Si Single Crystal with Heat Treatment
【下载频次】	★★★★★
【作者】	丰云恺; 李宁; 任丽; 任丙彦;
【英文作者】	Feng Yunkai; Li Ning; Ren Li; Ren Bingyan; School of Chemical Engineering; Hebei University of Technology; School of Materials Science and Engineering;
【作者单位】	河北工业大学化工学院; 河北工业大学材料科学与工程学院;
【文献出处】	稀有金属 , Chinese Journal of Rare Metals, 编辑部邮箱 2016年 06期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	太阳电池; 光衰减; 少子寿命; 退火;
【英文关键词】	solar cell; light-induced degradation; minority lifetime; annealing;
【摘要】	抑制p型单晶硅太阳能电池的光致衰减现象是光伏科技领域的热点和难点。掺镓直拉硅单晶工艺的突破以及在晶硅电池上的应用破解了这一难题,成功地抑制光致衰减。因为镓原子与硼原子共价半径的差异以及在太阳能电池制备过程中单晶硅片仍会经历不同条件的热处理,所以探究不同热处理条件对掺镓单晶硅中缺陷以及少子寿命的影响是非常有必要的。本文使用专利工艺技术制备掺镓硅单晶,并对掺硼和掺镓两种不同单晶硅片进行不同温度和时间的退火实验,对比分析不同样品的氧含量和少子寿命。结果发现:退火温度的升高、时间的延长以及预热处理都会降低两种硅片中的间隙氧含量以及少子寿命,同时促进了两组硅片中氧沉淀的形成。通过两组不同硅片对比表明,在相同条件下的退火处理,原子半径差异导致掺镓硅单晶硅的间隙氧含量下降速度更快,易形成更多的氧沉淀。
【英文摘要】	The inhibition of light-induced degradation of p-type silicon solar cell was hot spot and difficulty in field of photovoltaic technology. The breakthrough in gallium-doped Czochralski silicon technology and the application in crystalline silicon cells solved this problem,successfully suppressing the light-induced degradation. Because of the difference in radius between boron and gallium and different heat treatment conditions in solar cell manufacturing process,it was very necessary to explore the impact of...
【基金】	国家科技部高技术研究发展计划(863计划)项目(2012AA05031); 河北省自然科学基金项目(F2012202090)资助
【更新日期】	2016-07-05
【分类号】	TM914.4
【正文快照】	以硼掺杂的p型单晶硅已经被广泛应用于太阳电池的基底,但是,有报道指出,该类电池在AM1.5的光线下照射12 h,其效率将呈指数下降(一般衰减达3%~8%),然后达到一个饱和值,退火处理后,电池的性能又得到了完全的恢复,这就是现在常被提及的“光致衰减”现象[1-3]。对于晶体硅太阳电池?

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