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接近式光刻中基于条纹相位解析的掩模硅片面内倾斜校正研究  
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【英文篇名】 Tilt correction in the plane between mask and wafer based on fringe phase analysis in proximity nanolithography
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【作者】 佟军民; 徐锋; 胡松;
【英文作者】 TONG Junmin; XU Feng; HU Song; Xuchang Vocational College; Institute of Optics and Electronics; Chinese Academy of Sciences; Faculty Information & Engineering; Southwest University of Science and Technology;
【作者单位】 许昌职业技术学院; 中国科学院光电技术研究所; 西南科技大学信息工程学院;
【文献出处】 制造技术与机床 , Manufacturing Technology & Machine Tool, 编辑部邮箱 2016年 09期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 纳米光刻; 对准; 面内倾斜; 条纹图形分析; 相位解析;
【英文关键词】 nanolithography; alignment; tilt in the plane; fringe pattern analysis; phase demodulation;
【摘要】 针对接近式光刻中掩模硅片面内倾斜提出一种条纹相位解析方法。该方法通过2D傅里叶变换结合2D汉宁窗对于掩模硅片在面内发生的倾斜而形成的倾斜条纹进行处理,获得掩模硅片在面内的倾斜角度,进而进行倾斜校正。数值模拟与实验验证了该方法的可行性与有效性。结果表明,该方法能准确获得掩模硅片在面内的倾斜角度并进行校正。
【英文摘要】 The fringe pattern phase analysis method is proposed for the tilt correction in the plane between mask and wafer in proximity lithography.The tilt between mask and wafer in the plane is reflected in the tilted fringe pattern.The method combining the 2D Fourier transform and 2D Hanning window is proposed for processing the tilted fringe pattern.The angles in the plane of tilt are extracted through phase analysis and the tilts are corrected.Computer simulation and experiment are both performed to verify this ...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(61204114、61274108、61376110); 四川省教育厅基金资助项目(16ZB0141)
【更新日期】 2016-09-26
【分类号】 TN305.7
【正文快照】 随着高集成度电路以及相关器件的研发,IC特征尺寸愈来愈小,对光刻分辨力要求也越来越高。如何 提高光刻的分辨力成为业界关注的热点问题[1-4]。光组运动方向相反的线形差动莫尔条纹。根据线光栅的刻对准技术作为光刻的核心技术之一,是影响光刻分莫尔成像规律可知,当如图2所示?

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