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一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管  
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【英文篇名】 A Novel GaAs-Based Tunnel Field-Effect Transistor Without Drain Junction
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【作者】 骆东旭; 李尊朝; 关云鹤; 张也非; 孟庆之;
【英文作者】 LUO Dongxu; LI Zunchao; GUAN Yunhe; ZHANG Yefei; MENG Qingzhi; School of Software Engineering; Xi'an Jiaotong University; School of Electronic and Information Engineering;
【作者单位】 西安交通大学软件学院; 西安交通大学电子与信息工程学院;
【文献出处】 西安交通大学学报 , Journal of Xi'an Jiaotong University, 编辑部邮箱 2016年 02期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 隧穿; 场效应晶体管; 平均亚阈值斜率; 隧穿势垒;
【英文关键词】 band to band tunnel; tunnel field-effect transistor; average subthreshold slope; tunnel barrier;
【摘要】 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10~(-13) A,开关电流比高达10~(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。
【英文摘要】 A novel GaAs-based tunnel field-effect transistor without drain junction is proposed to improve the on-state current and its performance is investigated.The transistor uses N-type InGaAs with the same doping concentration in the channel and drain to form junctionless channel/drain and to simplify the manufacture process,while P-type GaAsSb is used in the source to produce hetero junction source/channel and to increase the on-state current.The widened tunnel barrier in the off-state decreases the leakage cur...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(611760380)
【更新日期】 2016-02-23
【分类号】 TN386
【正文快照】 随着集成电路特征尺寸的继续减小,目前广泛应用的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)将面临更加严峻的挑战,如短沟效应加剧、泄漏电流增大、开关电流比降低等[1]。隧穿场效应晶体管(TFET)具有较好的亚阈值特性和较小的泄漏电流,是有效解决以上问题的一种新型器件。不同于MO

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