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含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器  
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【英文篇名】 Three-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector with AlGaAs inserting layer
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【作者】 刘珂; 马文全; 黄建亮; 张艳华; 曹玉莲; 黄文军; 赵成城;
【英文作者】 Liu Ke; Ma Wen-Quan; Huang Jian-Liang; Zhang Yan-Hua; Cao Yu-Lian; Huang Wen-Jun; Zhao Cheng-Cheng; Key Laboratory of Semiconductor Materials Science; Institute of Semiconductors; Chinese Academy of Sciences;
【作者单位】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2016年 10期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 量子点红外探测器; 子带跃迁; 光电流谱; 分子束外延;
【英文关键词】 quantum dot infrared photodetector; intersubband transition; photocurrent spectra; molecular beam epitaxy;
【摘要】 本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含有Al Ga As插入层的In As量子点,器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值:6.3,10.2和11μm.文中分析了它们的跃迁机制,并且分别进行了指认.因为有源区采用了不对称结构,所以器件在外加偏压正负方向不同时,光电流谱峰值的强度存在一些差异.不论在正偏压或者负偏压下,当偏压达到较高值,再进一步增大偏压时,都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象,这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.
【英文摘要】 We report on a three-color In As/Ga As quantum dot infrared photodetector grown by molecular beam epitaxy.The In As quantum dots with Al Ga As inserting layers are formed on an In Ga As quantum well layer as an absorber region.The detector is an nin-type device,and three photocurret peaks at 6.3,10.2 and 11 μm are observed at 77 K,respectively.Each peak is designated and the physical mechanism is discussed.The dependences of the intensities of the three peaks on the applied bias voltage are different for th...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:61404124,61474106,61176014,61307116,61290303,61321063); 中国博士后科学基金(批准号:2015M570487); 航空科学基金(批准号:20152436002)资助的课题~~
【更新日期】 2016-06-06
【分类号】 TN215
【正文快照】 探测器既有量子点可以吸收垂直入射红外线的优1引言势,又有量子阱中的能级可以比较准确地通过材料生长厚度调控的特点,得到了大量的关注和研基于Ga As衬底的III-V族化合物半导体材料究[4 7].为了对探测目标具有更高的辨识能力、展具有外延生长工艺相对比较成熟和能带结构易于现

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