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V掺杂ZnO透明导电薄膜研究  
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【英文篇名】 Investigation of V doped ZnO transparent conductive oxide films
【下载频次】 ★★★★☆
【作者】 王延峰; 孟旭东; 郑伟; 宋庆功; 翟昌鑫; 郭兵; 张越; 杨富; 南景宇;
【英文作者】 Wang Yan-Feng; Meng Xu-Dong; Zheng Wei; Song Qing-Gong; Zhai Chang-Xin; Guo Bing; Zhang Yue; Yang Fu; Nan Jing-Yu; Institute of New Energy Science and Technology of Hebei North University; College of Science; Hebei North University; Civil Aviation University of China;
【作者单位】 河北北方学院理学院; 河北北方学院新能源科学与技术研究所; 中国民航大学理学院;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2016年 08期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 VZO薄膜; 磁控溅射; 第一性原理计算; 太阳电池;
【英文关键词】 VZO film; magnetron sputtering; first principle calculations; solar cells;
【摘要】 本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式,对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究.实验研究结果表明:V的掺入并未改变Zn O的生长方式,所制备的薄膜都呈(002)择优生长;随着衬底温度增加,VZO薄膜的结晶质量逐步改善,当衬底温度超过280?C时薄膜的结晶质量恶化;在280?C时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10~(-3)?·m,500—2000nm平均透过率高于85%.理论模拟结果表明:V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中,费米能级进入导带,材料表现出n型半导体的特性,导电电子主要由V 3d及O_(2p)电子轨道提供.理论计算结果与实验结果的一致性,表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力.
【英文摘要】 The performance of the Zn O film that is an indispensable part of pin-type Si-based thin-film solar cells, plays a crucial role in high-efficiency thin-film solar cells and also forms a significant part in photovoltaic research and development.In this paper, low resistivity and wide broadband spectrum transmittance vanadium(V) doped Zn O(VZO) films are successfully fabricated on Corning XG substrates at various substrate temperatures(STs). The properties of VZO films are investigated by the radio-frequency ...
【基金】 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11404088); 河北省自然科学基金(批准号:F2015405011); 河北省普通高等学校青年拔尖人才项目(批准号:BJ2014003); 河北省科技攻关项目(批准号:11215168); 河北北方学院重大项目(批准号:ZD201401); 河北北方学院博士基金项目; 河北北方学院青年项目(批准号:Q2014001); 河北省教育厅青年基金项目(批准号:QN2015148); 张家口市科学技术研究与发展计划自筹经费项目(批准号:20131017B)资助的课题~~
【更新日期】 2016-05-11
【分类号】 O484
【正文快照】 ( 2015 年9 月3 日收到; 2016 年1 月28 日收到修改稿) 本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂Zn O薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变Zn O的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002) 择优生长; 随着衬底温度增加,

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