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铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究

Theoretical Study on Impurity Energy Level of Cu-doped ZnO Semiconductor

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【作者】 郑青松李仲秋冯立峰李华尹海涛

【Author】 Zheng Qingsong;Li Zhongqiu;Feng Lifeng;Li Hua;Yin Haitao;Harbin Normal University;

【机构】 哈尔滨师范大学

【摘要】 采用密度泛函理论,利用MBJ-CPA方法计算了Cu掺杂ZnO的电子结构,理论解释Cu掺杂ZnO材料后出现发光特性,为今后Cu掺杂ZnO实验研究提供一定的理论依据.

【Abstract】 Using the density functional theory,the electronic structure of Cu doped ZnO with MBJ-CPA method is calculated. The luminescence properties of Cu doped ZnO materials are further investigated.These theoretical results will be useful to experimental study on Cu doped ZnO.

【关键词】 ZnO掺杂杂质能级
【Key words】 ZnODopingImpurity energy level
【基金】 黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12531210)
  • 【文献出处】 哈尔滨师范大学自然科学学报 ,Natural Science Journal of Harbin Normal University , 编辑部邮箱 ,2016年04期
  • 【分类号】TQ132.41
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