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铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究
Theoretical Study on Impurity Energy Level of Cu-doped ZnO Semiconductor
【摘要】 采用密度泛函理论,利用MBJ-CPA方法计算了Cu掺杂ZnO的电子结构,理论解释Cu掺杂ZnO材料后出现发光特性,为今后Cu掺杂ZnO实验研究提供一定的理论依据.
【Abstract】 Using the density functional theory,the electronic structure of Cu doped ZnO with MBJ-CPA method is calculated. The luminescence properties of Cu doped ZnO materials are further investigated.These theoretical results will be useful to experimental study on Cu doped ZnO.
【基金】 黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12531210)
- 【文献出处】 哈尔滨师范大学自然科学学报 ,Natural Science Journal of Harbin Normal University , 编辑部邮箱 ,2016年04期
- 【分类号】TQ132.41
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